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RF3L05200CB4

200 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Features ?Highefficiencyandlineargainoperations ?IntegratedESDprotection ?Largepositiveandnegativegate-sourcevoltagerangeforimprovedclassC operation ?IncompliancewiththeEuropeandirective2002/95/EC Description TheRF3L05200CB4isa200W,28/32V,LDMOSFETdesig

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更多RF3L05200CB4供應(yīng)商 更新時間2025-1-17 14:08:00

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