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RF3L05250CB4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

RF3L05250CB4
廠商型號

RF3L05250CB4

參數(shù)屬性

RF3L05250CB4 封裝/外殼為LBB;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:250 W 28/32 V RF POWER LDMOS TRA

功能描述

250 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
250 W 28/32 V RF POWER LDMOS TRA

封裝外殼

LBB

文件大小

490.19 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-12 15:48:00

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RF3L05250CB4規(guī)格書詳情

RF3L05250CB4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的RF3L05250CB4晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Features

? High efficiency and linear gain operations

? Integrated ESD protection

? Large positive and negative gate-source voltage range for improved class C

operation

? In compliance with the European directive 2002/95/EC

Description

The RF3L05250CB4 is a 250 W, 28/32 V, LDMOS FET designed for wideband

communication and ISM applications in the frequency range from HF to 1 GHz. It can

be used in class AB, B or C for all typical modulation formats.

Applications

? 2-30 MHz HF or short wave communication

? 30-88 MHz ground communication

? 118-140 MHz Avionics

? 136-174 MHz commercial ground communication

? 30-512 MHz Jammer, ground/air communication

? HF to 1000 MHz ISM - instrumentation

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    RF3L05250CB4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1GHz

  • 增益:

    18dB

  • 額定電流(安培):

    1μA

  • 功率 - 輸出:

    250W

  • 封裝/外殼:

    LBB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    LBB

  • 描述:

    250 W 28/32 V RF POWER LDMOS TRA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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