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RFD12N06RLESM9A

Marking:12N06LE;Package:TO-252;60V N-Channel MOSFET

Features ?UltraLowOn-Resistance -RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

RFD12N06RLESM9A

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ?VDS=60V,ID=30A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    RFD12N06RLESM9A

  • 功能描述:

    MOSFET 60V Single

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi
24+
TO-252AA
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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更多RFD12N06RLESM9A供應(yīng)商 更新時間2025-4-30 18:56:00