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RFD16N05中文資料友臺半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RFD16N05
廠商型號

RFD16N05

功能描述

60V N-Channel MOSFET

文件大小

491.7 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 UMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

UMW友臺半導(dǎo)體

中文名稱

廣東友臺半導(dǎo)體有限公司(簡稱UMW?)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-10-24 17:55:00

RFD16N05規(guī)格書詳情

Features

VDS (V) =60V

RDS(ON) < 47mΩ (VGS = 5V)

UIS SOA Rating Curve (Single Pulse)

Design Optimized for 5V Gate Drives

Can be Driven Directly from CMOS, NMOS, TTL Circuits

SOA is Power Dissipation Limited

Nanosecond Switching Speeds

Linear Transfer Characteristics

High Input Impedance

Majority Carrier Device

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RFD16N05

  • 功能描述:

    MOSFET TO-251AA N-Ch Power

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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