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RFM03U3P

Marking:WG;Package:PW-Mini;Field Effect Transistors Silicon N-Channel MOS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

BNS03U3

MechanicalCamSwitches

BNS819-B06-D08-46-11-FC Basicfeatures Approval/ConformityCE UKCA CCC WEEE BasicstandardIEC60947-5-1 Operatingprinciple1-6.Switchposition:Mechanical VersionSnapcontact

BalluffBalluff Korea Ltd.

巴魯夫巴魯夫集團(tuán)

RFM03U3CT

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

RFM03U3CT

FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType

VHF-andUHF-bandAmplifierApplications (Note)TheTOSHIBAproductslistedinthisdocumentareintendedforhigh frequencyPowerAmplifieroftelecommunicationsequipment..These TOSHIBAproductsareneitherintendednorwarrantedforanyotheruse. DonotusetheseTOSHIBAproductslistedi

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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TOSHIBA
23+
SOT89
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更多RFM03U3P供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 11:00:00