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RFM10N12中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RFM10N12
廠商型號(hào)

RFM10N12

功能描述

N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors

文件大小

89.46 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-24 23:21:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RFM10N12

  • 制造商:

    GESS

  • 制造商全稱:

    GESS

  • 功能描述:

    N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
MOSPEC
24+
TO-3
35210
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