RFM10N12中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
廠商型號(hào) |
RFM10N12 |
功能描述 | N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors |
文件大小 |
89.46 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-24 23:21:00 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
RFM10N12
- 制造商:
GESS
- 制造商全稱:
GESS
- 功能描述:
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MOSPEC |
24+ |
TO-3 |
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