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RFP10N12中文資料GESS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RFP10N12
廠商型號(hào)

RFP10N12

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

文件大小

211.91 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 GE Solid State
企業(yè)簡稱

GESS

中文名稱

GE Solid State

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-2 22:30:00

RFP10N12規(guī)格書詳情

N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors

Features

■ SOA is power-dissipation limited

■ Nanosecond switching speeds

■ Linear transfer characteristics

■ High input impedance

■ Majority carrier device

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RFP10N12

  • 制造商:

    GESS

  • 制造商全稱:

    GESS

  • 功能描述:

    N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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2020+
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