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RFP30N06LE	文件：91.17 Kbytes Page：6 Pages	30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs Description TheRFP30N06LE,RF1S30N06LEandRF1S30N06LESMareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theywere	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
RFP30N06LE	文件：80.85 Kbytes Page：8 Pages	30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP30N06LE	文件：188.99 Kbytes Page：8 Pages	30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
RFP30N06LE	文件：1.32291 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
RLD30N06	文件：521.409 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Description TheRLD30N06usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON), lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V. ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. Application Lithiumbatteryprotection Wirele	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
SFD30N06	文件：897.52 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SFD30N06	文件：1.01382 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
SFD30N06	文件：1.05013 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SFP30N06	文件：947.97 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingSemiWell’sadvancedplanarstripe,DMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,havealowgatechargewithsuperiorswitchingperformance,andruggedavalanchecharacteristics.ThisP	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SFP30N06	文件：1.31327 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
STP30N06	文件：1.31583 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
STP30N06	文件：206.32 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.045? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STP30N06FI	文件：206.32 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.045? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
SW30N06	文件：435.59 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW30N06U	文件：719.42 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementmodeTO-251/TO-252MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWD30N06	文件：435.59 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWD30N06	文件：898.94 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SWD30N06	文件：2.38016 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
SWI30N06	文件：963.79 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SWI30N06	文件：435.59 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
RFP30N06
功能描述：
MOSFET TO-220AB N-Ch Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市昌和盛利電子有限公司	RFP30N06LE	INTERSIL/FSC	23+	TO-220	28610		詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	RFP30N06LE	FAI	24+		400		詢價
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	RFP30N06LE	FSC進(jìn)口原	17+	TO-220	6200		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	RFP30N06LE	Fairchild	23+	TO-220AB	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價
深圳市利加科技有限公司	RFP30N06LE	HARRIS	16+	TO-220	10000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	RFP30N06LE	HARRIS	2020+	TO-220	350000	100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	RFP30N06LE	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價
深圳市振宏微科技有限公司	RFP30N06LE	FSC	23+	RFP30N06LE	13528	振宏微原裝正品,假一罰百	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	RFP30N06LE	FSC進(jìn)口	20+	TO-220	38560	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價
深圳市納艾斯科技有限公司	RFP30N06LE	H	2020+	TO220AB	80000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價

更多RFP30N06供應(yīng)商更新時間2025-1-11 15:16:00

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