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RFP4N100中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RFP4N100
廠商型號(hào)

RFP4N100

功能描述

4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, High Voltage, N-Channel Power MOSFETs

文件大小

101.12 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-28 20:00:00

RFP4N100規(guī)格書詳情

The RFP4N100 and RFP4N100SM are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are designed for use in applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. This type can be operated directly from an integrated circuit.

Features

? 4.3A, 1000V

? rDS(ON) = 3.500Q

? UIS Rating Curve (Single Pulse)

? -55°C to 150°C Operating Temperature

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RFP4N100

  • 功能描述:

    MOSFET TO-220AB N-Ch Power

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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