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RJK6002DJE

600V-2A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJK6002DPD

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

RJK6002DPD

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJK6002DPD

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

RJK6002DPE

600V-2A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RN6002

MotorDriveCircuitApplications/PowerAmplifierApplications/PowerSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

S6002CS

EVSeries2ASensitiveSCRs

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力特力特公司

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力特力特公司

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