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RG100N650T7中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RG100N650T7
廠商型號

RG100N650T7

功能描述

This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field Stop Trench IGBT Technology, which provides high performance, excellent quality and high ruggedness.

絲印標識

100N650

封裝外殼

TO-247

文件大小

475.85 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-14 11:40:00

RG100N650T7規(guī)格書詳情

Features

High ruggedness for motor control

VCE(sat) positive temperature coefficient

Very soft, fast recovery anti-parallel diode

Low EMI

Maximum junction temperature 175°C

Applications

PV Inverter

UPS Power

Welder

Haloge n -f r e e

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