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RG100N650T7中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

RG100N650T7
廠商型號(hào)

RG100N650T7

功能描述

This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field Stop Trench IGBT Technology, which provides high performance, excellent quality and high ruggedness.

絲印標(biāo)識(shí)

100N650

封裝外殼

TO-247

文件大小

475.85 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-18 17:30:00

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RG100N650T7規(guī)格書(shū)詳情

Features

High ruggedness for motor control

VCE(sat) positive temperature coefficient

Very soft, fast recovery anti-parallel diode

Low EMI

Maximum junction temperature 175°C

Applications

PV Inverter

UPS Power

Welder

Haloge n -f r e e

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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2019
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