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RGPR10BM40FHTL

包裝:管件 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

RBR10BM40A

SchottkyBarrierDiode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RBR10BM40A

SchottkyBarrierRectifier

FEATURES ·Guard-RingforStressProtection ·LowForwardVoltage ·HighOperatingJunctionTemperature ·LowPowerLoss/HighEfficiency ·Highsurgecapability ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation MECHANICALCHARACTERISTICS ·Case:Epoxy,Molded

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

RGPR10BM40FH

430V20AIgnitionIGBT

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RGPZ10BM40

430V20AIgnitionIGBT

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RGPZ10BM40FH

430V20AIgnitionIGBT

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    RGPR10BM40FHTL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.0V @ 5V,10A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    500ns/4μs

  • 測試條件:

    300V,8A,100 歐姆,5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 75°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-252

  • 描述:

    IGBT

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多RGPR10BM40FHTL供應(yīng)商 更新時間2025-1-4 10:18:00