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RGPR30BM40分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RGPR30BM40
廠商型號

RGPR30BM40

參數(shù)屬性

RGPR30BM40 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:400V 30A IGNITION IGBT

功能描述

400V 30A Ignition IGBT
400V 30A IGNITION IGBT

文件大小

719.51 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-17 22:59:00

RGPR30BM40規(guī)格書詳情

RGPR30BM40屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。羅姆半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的RGPR30BM40晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    RGPR30BM40HRTL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.0V @ 5V,10A

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    500ns/4μs

  • 測試條件:

    300V,8A,100 歐姆,5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-252

  • 描述:

    400V 30A IGNITION IGBT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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