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RGPR30NS40HR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RGPR30NS40HR
廠商型號(hào)

RGPR30NS40HR

參數(shù)屬性

RGPR30NS40HR 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:400V 30A IGNITION IGBT

功能描述

400V 30A Ignition IGBT

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

1.3721 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-11 8:23:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RGPR30NS40HRTL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.0V @ 5V,10A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    500ns/4μs

  • 測(cè)試條件:

    300V,8A,100 歐姆,5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    LPDS

  • 描述:

    400V 30A IGNITION IGBT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Rohm Semiconductor
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