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RGS00TS65EHR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
RGS00TS65EHR |
參數(shù)屬性 | RGS00TS65EHR 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650 |
功能描述 | 650V 50A Field Stop Trench IGBT |
文件大小 |
982.77 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Rohm |
企業(yè)簡稱 |
ROHM【羅姆】 |
中文名稱 | 羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-1 21:22:00 |
RGS00TS65EHR規(guī)格書詳情
Features
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Short Circuit Withstand Time 8μs
3) Qualified to AEC-Q101
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
Application
General Inverter
for Automotive and Industrial Use
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
RGS00TS65EHRC11
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,50A
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
36ns/115ns
- 測試條件:
400V,50A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247N
- 描述:
8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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