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RGS50TSX2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

RGS50TSX2
廠商型號(hào)

RGS50TSX2

參數(shù)屬性

RGS50TSX2 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT

功能描述

1200V 25A Field Stop Trench IGBT
1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT

文件大小

994.91 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-15 23:00:00

RGS50TSX2規(guī)格書(shū)詳情

RGS50TSX2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的RGS50TSX2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RGS50TSX2DHRC11

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,25A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1.4mJ(開(kāi)),1.65mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    37ns/140ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,25A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247N

  • 描述:

    1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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