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RGSX5TS65DHR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RGSX5TS65DHR
廠商型號

RGSX5TS65DHR

參數(shù)屬性

RGSX5TS65DHR 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V

功能描述

650V 75A Field Stop Trench IGBT

絲印標(biāo)識

RGSX5TS65D

封裝外殼

TO-247N / TO-247-3

文件大小

5.2922 Mbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-28 18:44:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    RGSX5TS65DHRC11

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.15V @ 15V,75A

  • 開關(guān)能量:

    3.32mJ(開),1.9mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    43ns/113ns

  • 測試條件:

    400V,75A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247N

  • 描述:

    8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V

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