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RJH1CF4RDPQ-80分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

RJH1CF4RDPQ-80
廠商型號(hào)

RJH1CF4RDPQ-80
參數(shù)屬性

RJH1CF4RDPQ-80 封裝/外殼為T(mén)O-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 40A 156.2W TO247
功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
IGBT 1200V 40A 156.2W TO247
文件大小

105.25 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-16 22:59:00

RJH1CF4RDPQ-80規(guī)格書(shū)詳情

RJH1CF4RDPQ-80屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的RJH1CF4RDPQ-80晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    RJH1CF4RDPQ-80#T2

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，20A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 1200V 40A 156.2W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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