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RJH30E2中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJH30E2
廠商型號

RJH30E2

功能描述

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

文件大小

158.32 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-24 22:58:00

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RJH30E2規(guī)格書詳情

Features

● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

● High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ.

● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.

● Low leak current: ICES = 1 μA max.

● Built-in Fast Recovery Diode: VF = 1.4 V typ., trr = 23 ns typ.

● Isolated package: TO-220FL

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
RENESAS
2016+
TO-3P
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只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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原裝正品,自己庫存 假一罰十
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