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RJH30E2中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJH30E2
廠商型號

RJH30E2

功能描述

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

文件大小

158.32 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-5 11:16:00

RJH30E2規(guī)格書詳情

Features

● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

● High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ.

● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.

● Low leak current: ICES = 1 μA max.

● Built-in Fast Recovery Diode: VF = 1.4 V typ., trr = 23 ns typ.

● Isolated package: TO-220FL

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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