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RJH60D 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 RJ

RJH60D參考圖片

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原廠料號(hào)：RJH60D品牌：RJ

原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢

RJH60D是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商RJ/Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝TO-220F/TO-220-3 整包的RJH60D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    RJH60D0DPK

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ISC【無(wú)錫固電】詳情

  • 廠商全稱：

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 中文名稱：

    無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    2 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    300.1 kb

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    RJH60D0DPM-00#T1

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，22A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    230μJ（開(kāi)），290μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    40ns/80ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，22A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3PFM

  • 描述：

    IGBT 600V 45A 40W TO3PFM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳廊盛科技有限公司

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機(jī)：

    18229386512

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    18229386512

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道上步工業(yè)區(qū)501棟410室

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