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RJH60D1DPE-00#J3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 RENESAS/瑞薩

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原廠料號：RJH60D1DPE-00#J3品牌：Renesas

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RJH60D1DPE-00#J3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Renesas/Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝N/A/SC-83的RJH60D1DPE-00#J3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    RJH60D1DPE-00#J3

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    RJH60D1DPE-00#J3

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，10A

  • 開關(guān)能量：

    100μJ（開），130μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    30ns/42ns

  • 測試條件：

    300V，10A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-83

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    LDPAK

  • 描述：

    IGBT 600V 20A 52W LDPAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市艾宇欣科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐

  • 手機：

    137-5109-0307

  • 詢價：
  • 電話：

    137-5109-0307/0755-83946758

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)梅林街道上梅社區(qū)上梅林新村30號403

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