RJH60D2DPE-00#J3_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Renesas Electronics America Inc

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原廠料號(hào):RJH60D2DPE-00#J3品牌:Renesas Electronics America Inc

資料說明:IGBT 600V 25A 63W LDPAK

RJH60D2DPE-00#J3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝SC-83的RJH60D2DPE-00#J3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    rjh60d2dpe-00%23j3

  • 規(guī)格書:

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  • 資料說明:

    IGBT 600V 25A 63W LDPAK

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RJH60D2DPE-00#J3

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,12A

  • 開關(guān)能量:

    100μJ(開),160μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    32ns/85ns

  • 測(cè)試條件:

    300V,12A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-83

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    LDPAK

  • 描述:

    IGBT 600V 25A 63W LDPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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