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RJH60D5DPM分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RJH60D5DPM
廠商型號

RJH60D5DPM
參數(shù)屬性

RJH60D5DPM 封裝/外殼為TO-220-3 整包；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 75A 45W TO3PFM
功能描述

Silicon N Channel IGBT Application: Inverter
IGBT 600V 75A 45W TO3PFM
文件大小

88.52 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-16 20:00:00

RJH60D5DPM規(guī)格書詳情

RJH60D5DPM屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的RJH60D5DPM晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    RJH60D5DPM-00#T1

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，37A

  • 開關(guān)能量：

    650μJ（開），270μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    50ns/135ns

  • 測試條件：

    300V，37A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3PFM

  • 描述：

    IGBT 600V 75A 45W TO3PFM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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