首頁>RJH60D6DPK-00#T0>詳情

RJH60D6DPK 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 RENESAS/瑞薩

RJH60D6DPK參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：RJH60D6DPK品牌：RENESAS/瑞薩

原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持!

RJH60D6DPK是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商RENESAS/瑞薩/Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝NA//TO-220-3 整包的RJH60D6DPK晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    RJH60D6DPK

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 內容頁數(shù)：

    4 頁

  • 文件大?。?/span>

    171.49 kb

  • 資料說明：

    Silicon N Channel IGBT Application: Inverter

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    RJH60D6DPK-00#T0

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，40A

  • 開關能量：

    850μJ（開），600μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    50ns/160ns

  • 測試條件：

    300V，40A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 600V 80A 260W TO3P

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市得捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖先生

  • 手機：

    19076157484

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82538261

  • 傳真：

    0755-82539558

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福虹路9號世貿(mào)廣場A座5層

相近型號