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RJH60D7BDPQ-E0 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 RENESAS/瑞薩

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原廠料號(hào)：RJH60D7BDPQ-E0品牌：RENESAS/瑞薩

當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨

RJH60D7BDPQ-E0是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商RENESAS/瑞薩/Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的RJH60D7BDPQ-E0晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    RJH60D7BDPQ-E0

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    333.49 kb

  • 資料說(shuō)明：

    600V - 50A - IGBT Application: Inverter

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    RJH60D7BDPQ-E0#T2

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，50A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    700μJ（開(kāi)），1.4mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    60ns/180ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，50A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 600V 90A 300W TO-247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市晨豪科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    羅先生/嚴(yán)小姐/葉先生/鄒先生

  • 手機(jī)：

    13923798387

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82732291 /0755-85274662

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)中航路新亞洲電子商城一期2A103

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