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RJH60D7DPQ-E0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RJH60D7DPQ-E0
廠商型號

RJH60D7DPQ-E0
參數(shù)屬性

RJH60D7DPQ-E0 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 90A 300W TO-247
功能描述

600V - 50A - IGBT Application: Inverter
IGBT 600V 90A 300W TO-247
文件大小

113.31 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-16 20:00:00

RJH60D7DPQ-E0規(guī)格書詳情

RJH60D7DPQ-E0屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的RJH60D7DPQ-E0晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    RJH60D7DPQ-E0#T2

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，50A

  • 開關(guān)能量：

    1.1mJ（開），600μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    60ns/190ns

  • 測試條件：

    300V，50A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 600V 90A 300W TO-247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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