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RJH60F0DPK分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RJH60F0DPK
廠商型號

RJH60F0DPK

參數(shù)屬性

RJH60F0DPK 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P

文件大小

166.8 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-16 22:59:00

RJH60F0DPK規(guī)格書詳情

Features

? Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)

? Built in fast recovery diode in one package

? Trench gate and thin wafer technology

? High speed switching tf = 90 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)

RJH60F0DPK屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的RJH60F0DPK晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    RJH60F0DPK-00#T0

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.82V @ 15V,25A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    46ns/70ns

  • 測試條件:

    400V,30A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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NA/
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