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RJH60F4DPK-00#T0 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 RENESAS/瑞薩

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原廠料號：RJH60F4DPK-00#T0品牌：RENESAS/瑞薩

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RJH60F4DPK-00#T0是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商RENESAS/瑞薩/Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝TO-3P/TO-220-3 整包的RJH60F4DPK-00#T0晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    RJH60F4DPK-00#T0

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 資料說明：

    IGBT - Rail/Tube

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    RJH60F4DPK-00#T0

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.82V @ 15V，30A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    45ns/85ns

  • 測試條件：

    400V，30A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 235.8W TO-3P

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊小姐

  • 手機(jī)：

    13430590551

  • 詢價：
  • 電話：

    13430590551

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1078號現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D

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