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RJH60F4DPQ-A0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=30A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tf=80nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω,Ta

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJH60F4DPQ-A0-T0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=30A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tf=80nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω,Ta

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瑞薩瑞薩科技有限公司

RJH60F4DPQ-A0_15

600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJH60F4DPQ-A0#T0

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 60A 235.8W TO247A

Renesas Electronics America Inc

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    RJH60F4DPQ-A0

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
RENESAS/瑞薩
2022+
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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RENESAS/瑞薩
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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2022
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更多RJH60F4DPQ-A0供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-18 9:50:00