RJH60F7DPQ-A0#T0_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Renesas Electronics America Inc

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原廠料號:RJH60F7DPQ-A0#T0品牌:Renesas Electronics America Inc

資料說明:IGBT 600V 90A 328.9W TO247A

RJH60F7DPQ-A0#T0是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝TO-247-3的RJH60F7DPQ-A0#T0晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    rjh60f7dpq-a0%23t0

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  • 資料說明:

    IGBT 600V 90A 328.9W TO247A

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    RJH60F7DPQ-A0#T0

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.75V @ 15V,50A

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    63ns/142ns

  • 測試條件:

    400V,30A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247A

  • 描述:

    IGBT 600V 90A 328.9W TO247A

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