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RJH65T47DPQ-A0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
廠商型號(hào) |
RJH65T47DPQ-A0 |
參數(shù)屬性 | RJH65T47DPQ-A0 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT TRENCH 650V 90A TO247A |
功能描述 | Power Factor Correction circuit |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
348.03 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-31 20:00:00 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
RJH65T47DPQ-A0#T0
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝道
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,45A
- 開(kāi)關(guān)能量:
520μJ(開(kāi)),560μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
45ns/190ns
- 測(cè)試條件:
400V,45A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247A
- 描述:
IGBT TRENCH 650V 90A TO247A
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
瑞薩 |
24+ |
TO247 |
58000 |
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