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RJK03C1DPB-00-J5

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features ?Highspeedswitching ?Capableof4.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting ?Lowon-resistance RDS(on)=1.7mΩtyp.(atVGS=10V) ?Pb-free ?Halogen-free

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多RJK03C1DPB-00-J5供應(yīng)商 更新時間2024-11-16 15:16:00

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