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RJK03E4DPA中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJK03E4DPA
廠商型號

RJK03E4DPA
功能描述

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching
文件大小

111.91 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-8 16:32:00

RJK03E4DPA規(guī)格書詳情

Features

? High speed switching

? Capable of 4.5 V gate drive

? Low drive current

? High density mounting

? Low on-resistance

? Pb-free

? Halogen-free

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    RJK03E4DPA

  • 制造商：

    RENESAS

  • 制造商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述：

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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