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RJK03N9DNS

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features ?Highspeedswitching ?Capableof4.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting ?Lowon-resistance RDS(on)=5.7mΩtyp.(atVGS=8.0V) ?Pb-free ?Halogen-free

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJK03N9DNS-00-J5

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features ?Highspeedswitching ?Capableof4.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting ?Lowon-resistance RDS(on)=5.7mΩtyp.(atVGS=8.0V) ?Pb-free ?Halogen-free

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

BCC03N9

Double-EndedCordsets

BCCM425-M323-3F-300-PX0334-050

BalluffBalluff Korea Ltd.

巴魯夫巴魯夫集團

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEC/RENESAS瑞薩
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更多RJK03N9DNS供應(yīng)商 更新時間2025-2-1 8:10:00