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RJK5012DPE-00-J3中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RJK5012DPE-00-J3
廠商型號(hào)

RJK5012DPE-00-J3

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件大小

75.8 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-25 18:30:00

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RJK5012DPE-00-J3規(guī)格書詳情

Features

Low on-resistance

RDS(on) = 0.515? typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Ta = 25℃)

Low leakage current

High speed switching

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RJK5012DPE-00-J3

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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