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RJP30E2中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJP30E2
廠商型號

RJP30E2

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件大小

158.83 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-9 23:00:00

RJP30E2規(guī)格書詳情

1. Trench gate technology (G5H series)

2. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ

3. High speed switching tf = 150 ns typ

4. Low leak current ICES= 1 μA max

5. Isolated package TO-220FL

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RJP30E2

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Renesas(瑞薩)
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