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RJP6085DPN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RJP6085DPN
廠商型號

RJP6085DPN

參數(shù)屬性

RJP6085DPN 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 40A TO220AB

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

105.41 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-23 11:10:00

RJP6085DPN規(guī)格書詳情

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features

? High speed switching

? Low collector to emitter saturation voltage

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    RJP6085DPN-00#T2

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.5V @ 15V,40A

  • 輸入類型:

    標準

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 40A TO220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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