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RJP6085DPN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
RJP6085DPN |
參數(shù)屬性 | RJP6085DPN 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 40A TO220AB |
功能描述 | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
105.41 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-23 11:10:00 |
RJP6085DPN規(guī)格書詳情
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Features
? High speed switching
? Low collector to emitter saturation voltage
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
RJP6085DPN-00#T2
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
3.5V @ 15V,40A
- 輸入類型:
標準
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 40A TO220AB
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
TO263 |
11200 |
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詢價 | ||
24+ |
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Renesas |
22+ |
TO220AB |
9000 |
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Renesas |
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RENESAS/瑞薩 |
23+ |
TO-220AB |
10000 |
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瑞薩 |
24+ |
TO220 |
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RENESAS/瑞薩 |
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TO-220 |
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RENESAS |
2016+ |
TO-3P |
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Renesas Electronics America |
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TO-220AB |
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RENESAS |
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