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RJP65T43DPM-00#T1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 RenesasElectronics

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原廠料號：RJP65T43DPM-00#T1品牌：RenesasElectronics

進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)

RJP65T43DPM-00#T1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商RenesasElectronics/Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝NA/TO-220-3 整包的RJP65T43DPM-00#T1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    RJP65T43DPM-00#T1

  • 規(guī)格書：

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產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    RJP65T43DPM-00#T1

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    170μJ（開），110μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    30ns/107ns

  • 測試條件：

    400V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3PFM

  • 描述：

    ABU / IGBT

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市達(dá)恩科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉小姐

  • 手機(jī)：

    13510619928

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23917962

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北新亞洲國利大廈1515

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