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RJP65T43DPQ-A0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

RJP65T43DPQ-A0
廠商型號(hào)

RJP65T43DPQ-A0

參數(shù)屬性

RJP65T43DPQ-A0 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT TRENCH 650V 60A TO247A

功能描述

650V - 30A - IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

527.46 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

RENESAS瑞薩

中文名稱(chēng)

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-12 17:52:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RJP65T43DPQ-A0#T2

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,20A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    170μJ(開(kāi)),130μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    35ns/105ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247A

  • 描述:

    IGBT TRENCH 650V 60A TO247A

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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