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RSJ250P10

iscP-ChannelMOSFETTransistor

·FEATURES ·DrainCurrent–ID=-25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=63mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·Besuitablefors

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

RSJ250P10

4VDrivePchMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

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更多RJS250P10供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 14:03:00

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