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RM100N40DF中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
RM100N40DF |
| 功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | DFN5X6-8L |
| 文件大小 |
2.08748 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Rectron Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RECTRON |
| 中文名稱 | Rectron Semiconductor官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-6 15:15:00 |
| 人工找貨 | RM100N40DF價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
RM100N40DF規(guī)格書詳情
Description
The RM100N40DF uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
VDS =40V,ID =100A
RDS(ON) <3.2 mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) <4.6 mΩ @ VGS=4.5V
High density cell design for ultra low Rdson
Fully characterized avalanche voltage and current
Good stability and uniformity with high EAS
Excellent package for good heat dissipation
Special process technology for high ESD capability
Application
Load switching
Hard switched and high frequency circuits
Uninterruptible power supply
Halogen-free
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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