RM10N100S8中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	RM10N100S8
功能描述	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
絲印標識	10N100
封裝外殼	SOP-8
文件大小	425.06 Kbytes
頁面數(shù)量	7 頁
生產(chǎn)廠商	Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱	RECTRON
中文名稱	Rectron Semiconductor官網(wǎng)
原廠標識
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更新時間	2025-3-30 16:10:00
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Description

The RM10N100S8 uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

General Features

VDS = 100V,ID =10A

RDS(ON) < 14mΩ @ VGS=10V

RDS(ON) < 21mΩ @ VGS=4.5V

Special process technology for high ESD capability

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Application

DC/DC Primary Side Switch

Telecom/Server

Synchronous Rectification

Halogen-free

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