RM130N100HD中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	RM130N100HD
功能描述	N-Channel Super Trench Power MOSFET
文件大小	1.02829 Mbytes
頁面數(shù)量	7 頁
生產(chǎn)廠商	Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱	RECTRON
中文名稱	Rectron Semiconductor官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
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更新時間	2025-1-7 20:00:00

Description

The RM130N100HD uses

Super Trench technology that is

uniquely optimized to provide the most efficient high

frequency switching performance. Both conduction and

switching power losses are minimized due to an extremely

low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for

high-frequency switching and synchronous rectification.

General Features

VDS =100V,ID =130A

RDS(ON)<5.4m? VGS=10V

Excellent gate charge x RDS(on) product

Very low on-resistance RDS(on)

Pb-free lead plating

100 UIS tested

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