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RM130N100HD中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RM130N100HD
廠商型號(hào)

RM130N100HD

功能描述

N-Channel Super Trench Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

130N100

封裝外殼

TO-263-2L

文件大小

1.02829 Mbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-14 13:37:00

RM130N100HD規(guī)格書詳情

Description

The RM130N100HD uses

Super Trench technology that is

uniquely optimized to provide the most efficient high

frequency switching performance. Both conduction and

switching power losses are minimized due to an extremely

low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for

high-frequency switching and synchronous rectification.

General Features

VDS =100V,ID =130A

RDS(ON)<5.4m? VGS=10V

Excellent gate charge x RDS(on) product

Very low on-resistance RDS(on)

Pb-free lead plating

100 UIS tested

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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