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RM180N60T2中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RM180N60T2
廠商型號(hào)

RM180N60T2

功能描述

N-Channel Super Trench Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

180N60

封裝外殼

TO-220-3L

文件大小

209.11 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-5-21 17:54:00

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RM180N60T2規(guī)格書詳情

General Features

VDS =60V,ID =180A

RDS(ON) < 2.9m @ VGS=10V (Typ:2.5m)

Excellent gate charge x RDS(on) product

Very low on-resistance RDS(on)

150 °C operating temperature

Pb-free lead plating

100% UIS tested

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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