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RM18P100HDE中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RM18P100HDE
廠商型號(hào)

RM18P100HDE

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

18P100

封裝外殼

TO-263-2L

文件大小

233.62 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-12 16:20:00

RM18P100HDE規(guī)格書詳情

General Features

Vds =-100VJp =-18A

Rds(on) <100m? @ Ves=-10V (Typ:85mQ)

Super high dense cell design

Advanced trench process technology

Reliable and rugged

High density cell design for ultra low On-Resistance

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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