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RM210N75T2中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RM210N75T2
廠商型號

RM210N75T2

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標識

210N75

封裝外殼

TO-220-3L

文件大小

204.88 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-30 16:42:00

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RM210N75T2規(guī)格書詳情

General Features

VDSS =75V,ID =210A

RDS(ON) < 4mΩ @ VGS=10V

Good stability and uniformity with high EAS

Special process technology for high ESD capability

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Excellent package for good heat dissipation

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