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RM21N650HD中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
RM21N650HD |
功能描述 | N-Channel Super Junction Power MOSFET III |
絲印標(biāo)識 | |
封裝外殼 | TO-263 |
文件大小 |
657.27 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Rectron Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
RECTRON |
中文名稱 | Rectron Semiconductor官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-30 22:58:00 |
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RM21N650HD規(guī)格書詳情
Features
New technology for high voltage device
Low on-resistance and low conduction losses.
Small package
Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements.
100% Avalanche Tested
ROHS compliant
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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