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RM21N650T中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

RM21N650T
廠商型號(hào)

RM21N650T

功能描述

N-Channel Super Junction Power MOSFET III

文件大小

1.27845 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

RECTRON

中文名稱(chēng)

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-18 9:20:00

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RM21N650T規(guī)格書(shū)詳情

Features

New technology for high voltage device.

Low on-resistance and low conduction losses

Small package.

Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements

100% Avalanche Tested

OHS compliant

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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2022+
RJ45
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原廠原盒現(xiàn)貨,年底清倉(cāng)大特價(jià)!送
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一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
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