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RM27P30LD中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RM27P30LD
廠商型號(hào)

RM27P30LD

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

27P30

封裝外殼

TO-252-2L

文件大小

426.02 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-23 19:00:00

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RM27P30LD規(guī)格書詳情

General Features

VDS =-30V,ID =-27A

RDS(ON) <30mΩ @ VGS=-10V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Excellent package for good heat dissipation

RDS(ON)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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